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Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
49
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2501
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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