RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
57
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
57
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2213
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link