RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
57
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
57
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
9.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2213
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link