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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
57
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
57
Velocità di lettura, GB/s
11.8
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2213
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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