RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2434
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link