RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
58
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2591
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link