RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2041
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link