RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2041
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link