RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
104
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
65
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2041
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link