RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
104
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
63
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1863
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link