RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3606
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link