Comparación de la memoria RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Puntuación global

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 17.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,404.5 14.5

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

34 104

En -206% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 6400

En 2.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

786 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns