RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3606
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link