RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3521
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link