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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
104
Autour de -447% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3521
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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