RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3705
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link