RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3705
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link