RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2852
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link