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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
104
左右 -117% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
48
读取速度,GB/s
3,192.0
16.8
写入速度,GB/s
2,404.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2852
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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