RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2974
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link