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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
104
Por volta de -225% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2974
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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