RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
104
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1468
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link