RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3336
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link