RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3765
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link