RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3859
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link