RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
104
Wokół strony -512% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3702
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link