RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link