RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3937
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link