Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 18
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 15.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 104
    Wokół strony -285% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    104 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,192.0 left arrow 18.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 15.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    786 left arrow 3711
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania