RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
104
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3711
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link