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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
18.0
写入速度,GB/s
2,404.5
15.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3711
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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