RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs INTENSO 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
INTENSO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2061
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
INTENSO 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link