RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2452
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link