RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3297
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link