RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3297
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link