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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
17.6
写入速度,GB/s
2,404.5
14.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3297
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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