RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2512
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link