RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2512
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link