RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
104
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2512
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link