RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2592
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link