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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
104
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2592
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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