RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3242
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link