RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3242
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link