RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2812
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link