RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2812
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Relatar um erro
×
Bug description
Source link