RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3169
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link