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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
104
左右 -447% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
19
读取速度,GB/s
3,192.0
19.3
写入速度,GB/s
2,404.5
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3169
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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