RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3113
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link