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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
104
左右 -259% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
29
读取速度,GB/s
3,192.0
17.4
写入速度,GB/s
2,404.5
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3113
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Mushkin 991586 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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