RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3040
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link