RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
104
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3040
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Jinyu 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link