RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2369
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link